防止X射線損壞Flash Memory的解決方案

目前由于Flash Memory存儲器件存儲密度不斷上升，芯片生產工藝節點不斷更新，20納米以內的工藝在存儲器件的制造中越來越普遍，線寬的不斷健碩除了給制造帶來挑戰，對組裝過程中的射線檢查也帶來了新的挑戰。實驗證明，內存芯片在X光長時間的照射下，由于電子躍遷，會帶來數據的丟失，從而使產品系統失效。而X光檢查是組裝過程中不可或缺的可靠性手段，為了避免芯片受到損傷，我們提出了以下的解決方案供大家參考以幫助工廠工程師在使用X光設備時合理的避免產品的失效。

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